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电力电子器件
电力电子器件(Power Electronic Device)又称为功率半导体器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)。
电力电子器件分类
一、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类:
1.半控型器件,例如晶闸管;
2.全控型器件,例如GTO(门极可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管),MOSFET(电力场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管);
3.不可控器件,例如电力二极管;
二、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类:
1.电压驱动型器件,例如IGBT、MOSFET、SITH(静电感应晶闸管);
2.电流驱动型器件,例如晶闸管、GTO、GTR;
三、根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类:
1.脉冲触发型,例如晶闸管、GTO;
2.电子控制型,例如GTR、MOSFET、IGBT;
按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类:
1.单极型器件,例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR;
2.双极型器件,例如MOSFET、IGBT;
3.复合型器件,例如MCT(MOS控制晶闸管)。
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电力电子器件损耗
电力电子器件的损耗主要包括有开通、关断、通态损耗。
在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为通态损耗,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。另外,si的二极管有反向恢复损耗,sic SBD没有二极管的反向恢复损耗。在zvs的时候没有开通损耗,zcs的时候没有关断损耗。其中一般的器件来说关断损耗最大,通态损耗其次,开通损耗最小,这个是由于关断慢时间长,开通快,IV积分损耗小,通态损耗为rds,on和电流的平方,随温度变化会增大。
电子器件工作在开关状态损耗就小是相对而言的,开关状态的晶体管饱和导通,压降很小,耗电也就很小。放大状态的晶体管压降很高,耗电也就很多。电子开关的消耗远远大于接触器,但是它的开关速度很快。
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电力电子器件优缺点
1、电力二极管:结构和原理简单,工作可靠;
2、晶闸管:承受电压和电流容量在所有器件中最高
3、IGBT:开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小;缺点:开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO
4、GTR:耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低;缺点:开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题
5、GTO:电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强;缺点:电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低
6、MOSFET:开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题;缺点:电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
7、制约因素:耐压,电流容量,开关的速度。
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